Détermination de la densité d'états localisés par les techniques du photocourant modulé et du transistoire du photocourant dans le silicium amorphé hydrogéné déposé par pulvérisation DC magnétron

dc.contributor.author	Ainouche, Lynda
dc.date.accessioned	2015-12-10T10:27:42Z
dc.date.available	2015-12-10T10:27:42Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4246
dc.description	99 p. : fig. ; 29 cm. (+ microfiche, cd).	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Physique des matériaux	fr_FR
dc.subject	Transistor, silicium	fr_FR
dc.subject	Silici	fr_FR
dc.title	Détermination de la densité d'états localisés par les techniques du photocourant modulé et du transistoire du photocourant dans le silicium amorphé hydrogéné déposé par pulvérisation DC magnétron	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR