Simulation numérique des phénomènes transitoires d'une structure métal/semiconducteur à base de silicium amorphe hydrogéné

dc.contributor.author	Allag, Aicha
dc.date.accessioned	2016-02-23T10:20:19Z
dc.date.available	2016-02-23T10:20:19Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4612
dc.description	117 p. : fig. ; 29 cm.(+ microfiche, CD)	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Physique des matériaux, Simulation numérique	fr_FR
dc.subject	Siliccium amorphé hydrogéné	fr_FR
dc.subject	métal /semiconducteur	fr_FR
dc.title	Simulation numérique des phénomènes transitoires d'une structure métal/semiconducteur à base de silicium amorphe hydrogéné	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR