Influence of thickness and porous structure of SiC layers on the electrical properties of Pt/SiC-pSi and Pd/SiC-pSi Schottky diodes for gas sensing purposes

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dc.date.accessioned 2020-03-10T10:23:34Z
dc.date.available 2020-03-10T10:23:34Z
dc.date.issued 2007-09-19
dc.identifier.uri http://repository.usthb.dz//xmlui/handle/123456789/8146
dc.description Configuration requise : PC multimédia et compatible, logiciel d'exploitation + Acrobate.- Titre provenant de l’écran titre.- Description d'après la consultation du 19-09-2007 en_US
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Elsevier en_US
dc.subject Silicon carbide ; Schottky diodes ; Platinum ; Palladium ; Gas sensors en_US
dc.title Influence of thickness and porous structure of SiC layers on the electrical properties of Pt/SiC-pSi and Pd/SiC-pSi Schottky diodes for gas sensing purposes en_US
dc.type Article en_US


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