Etude expérimentale des dégradations des transistors  N-MOS induites par des radiations ionisantes ( rayons X)

dc.contributor.author	Derouiche, Yazid
dc.date.accessioned	2015-09-15T09:37:54Z
dc.date.available	2015-09-15T09:37:54Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/3329
dc.description	119 p. : fig. ; 29 cm. (+ microfiche, cd).	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Physique des matériaux	fr_FR
dc.subject	Transistor MOSEFT	fr_FR
dc.subject	Silicium,	fr_FR
dc.title	Etude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS induites par des radiations ionisantes ( rayons X)	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR