Simulation de la diffusion d'ions He+ (4keV) par une surface de silicium
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Simulation de la diffusion d'ions He+ (4keV) par une surface de silicium
Neffai, Mohammed
URI:
http://hdl.handle.net/123456789/4042
Date:
2012
Description:
60 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
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