Simulation de la diffusion d'ions  He+ (4keV) par une surface de silicium

dc.contributor.author	Neffai, Mohammed
dc.date.accessioned	2015-11-24T13:13:26Z
dc.date.available	2015-11-24T13:13:26Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4042
dc.description	60 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Diffusion (physique nucléaire)	fr_FR
dc.subject	Hélium	fr_FR
dc.subject	Silicium	fr_FR
dc.subject	Spectres	fr_FR
dc.title	Simulation de la diffusion d'ions He+ (4keV) par une surface de silicium	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR