Elaboration de couche de nitrures de silicium par PECVD à basse température adaptées à la passivation des structures MIS

dc.contributor.author	Mefoued, Amine
dc.date.accessioned	2015-11-25T13:34:25Z
dc.date.available	2015-11-25T13:34:25Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4068
dc.description	92 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Photopiles	fr_FR
dc.subject	Nitrure de silicium	fr_FR
dc.subject	MIS (électronique)	fr_FR
dc.subject	Semiconducteurs	fr_FR
dc.subject	Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma	fr_FR
dc.title	Elaboration de couche de nitrures de silicium par PECVD à basse température adaptées à la passivation des structures MIS	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR