Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers
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Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers