Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers

dc.contributor.author	Kadi, Mohamed
dc.date.accessioned	2015-11-25T14:03:14Z
dc.date.available	2015-11-25T14:03:14Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4079
dc.description	105 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	Silicium poreux	fr_FR
dc.subject	Oxyde stannique	fr_FR
dc.subject	Couche minces	fr_FR
dc.subject	Matériaux nanostructurés	fr_FR
dc.title	Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers	fr_FR
dc.type	Thesis	fr_FR