Etude de l'influence de l'hydrogène sur le silicium amorphe dopé au bore
dc.contributor.author | Seba, Hadj Yahia | |
dc.date.accessioned | 2015-11-08T13:56:29Z | |
dc.date.available | 2015-11-08T13:56:29Z | |
dc.date.issued | 2008 | |
dc.description | 104 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | fr_FR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/3920 | |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.subject | Hydrogène | fr_FR |
dc.subject | Semiconducteurs amorphes | fr_FR |
dc.subject | Semiconducteurs : Dopage | fr_FR |
dc.title | Etude de l'influence de l'hydrogène sur le silicium amorphe dopé au bore | fr_FR |
dc.type | Thesis | fr_FR |