Dépôt couche par couche et caractérisation du silicium amorphe effet de la température de dépôt et effet de la polarisation du porte-substrat
dc.contributor.author | Ben Abdelmoumen, Abdelmadjid | |
dc.date.accessioned | 2015-06-22T11:17:04Z | |
dc.date.available | 2015-06-22T11:17:04Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description | 96 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | fr_FR |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/3099 | |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.subject | Semiconducteurs amorphes | fr_FR |
dc.subject | Silicium : substrats | fr_FR |
dc.title | Dépôt couche par couche et caractérisation du silicium amorphe effet de la température de dépôt et effet de la polarisation du porte-substrat | fr_FR |
dc.type | Thesis | fr_FR |