Etude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS induites par des radiations ionisantes ( rayons X)
No Thumbnail Available
Date
2003
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Description
119 p. : fig. ; 29 cm. (+ microfiche, cd).
Keywords
Physique des matériaux, Transistor MOSEFT, Silicium,