Etude expérimentale de la dégradation BTS (BIAS température stress) dans les dispositifs MOS
| dc.contributor.author | Benabdelmoumene, Abdelmadjid | |
| dc.date.accessioned | 2018-02-12T13:00:28Z | |
| dc.date.available | 2018-02-12T13:00:28Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | 145 p. : ill. ; 30 cm (+ CD-Rom) | fr_FR |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/5709 | |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.subject | Silice | fr_FR |
| dc.subject | Transistors MOSFET | fr_FR |
| dc.subject | Transistors à effet de champ | fr_FR |
| dc.subject | MOS (électronique) | fr_FR |
| dc.title | Etude expérimentale de la dégradation BTS (BIAS température stress) dans les dispositifs MOS | fr_FR |
| dc.type | Thesis | fr_FR |
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