Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers
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Date
2010
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105 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Silicium poreux, Oxyde stannique, Couche minces, Matériaux nanostructurés