Détermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramers

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dc.contributor.authorKadi, Mohamed
dc.date.accessioned2015-11-25T14:03:14Z
dc.date.available2015-11-25T14:03:14Z
dc.date.issued2010
dc.description105 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)fr_FR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4079
dc.language.isofrfr_FR
dc.subjectSilicium poreuxfr_FR
dc.subjectOxyde stanniquefr_FR
dc.subjectCouche mincesfr_FR
dc.subjectMatériaux nanostructurésfr_FR
dc.titleDétermination de propriétés optoélectroniques du silicium poreux formé électrochimiquement et d'oxyde d'étain à partir de mesure de réflectance par le modèle de Drude-Lorentz et l'analyse de Kramersfr_FR
dc.typeThesisfr_FR

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