Elaboration de couche de nitrures de silicium par PECVD à basse température adaptées à la passivation des structures MIS
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Date
2011
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Abstract
Description
92 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Photopiles, Nitrure de silicium, MIS (électronique), Semiconducteurs, Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma