Etudes des propriétés structurales et électriques du contact Ni et Ni/Ti sur le 4H-SIC application à la formation de diode schottky

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dc.contributor.authorSiad, Menouar
dc.date.accessioned2015-01-12T11:54:48Z
dc.date.available2015-01-12T11:54:48Z
dc.date.issued2012
dc.description91 p. : ill. ; 30 cm. (+CD-Rom)fr_FR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1623
dc.language.isofrfr_FR
dc.subjectSemiconducteursfr_FR
dc.subjectCarbure de siliciumfr_FR
dc.subjectSemicondusteurs à large bande interditefr_FR
dc.subjectDiodes à barrière de Sthottkyfr_FR
dc.subjectContact métal-semiconducteurfr_FR
dc.titleEtudes des propriétés structurales et électriques du contact Ni et Ni/Ti sur le 4H-SIC application à la formation de diode schottkyfr_FR
dc.typeThesisfr_FR

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