Détermination de la densité d'états localisés par les techniques du photocourant modulé et du transistoire du photocourant dans le silicium amorphé hydrogéné déposé par pulvérisation DC magnétron

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dc.contributor.authorAinouche, Lynda
dc.date.accessioned2015-12-10T10:27:42Z
dc.date.available2015-12-10T10:27:42Z
dc.date.issued2003
dc.description99 p. : fig. ; 29 cm. (+ microfiche, cd).fr_FR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4246
dc.language.isofrfr_FR
dc.subjectPhysique des matériauxfr_FR
dc.subjectTransistor, siliciumfr_FR
dc.subjectSilicifr_FR
dc.titleDétermination de la densité d'états localisés par les techniques du photocourant modulé et du transistoire du photocourant dans le silicium amorphé hydrogéné déposé par pulvérisation DC magnétronfr_FR
dc.typeThesisfr_FR

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